회사 소식 PERC 셀 후면 패시베이션층 국부 개방 처리에 UVLED 적용

PERC 셀 후면 패시베이션 층의 국부 개방 처리에 UVLED 적용

  태양광 기술이 계속 발전함에 따라, 높은 광전 변환 효율을 가진 PERC 셀이 시장의 주류로 점차 자리 잡았습니다. PERC 셀의 주요 장점은 후면 패시베이션 층에 있으며, 이는 빛을 효과적으로 반사하는 특수한 구조로, 빛의 포집량을 증가시켜 셀의 발전 효율을 향상시킵니다. 그러나 전극 간의 전기적 상호 연결을 위해서는 후면 패시베이션 층에 국부적인 개방이 필요합니다. 기존 방법은 종종 불충분한 정밀도, 낮은 효율, 셀 손상 가능성과 같은 문제에 직면합니다.

  PERC 셀 후면의 패시베이션 층은 주로 산화 알루미늄(Al₂O₃) 및 질화 규소(SiN)와 같은 재료로 구성됩니다. 이러한 재료는 우수한 빛 반사율과 패시베이션 특성을 가지고 있어 셀의 단락 전류와 개방 회로 전압을 향상시키는 데 도움이 됩니다. 그러나 셀 간의 전기적 상호 연결을 위해서는 전극이 패시베이션 층을 관통하여 실리콘 기판과 접촉할 수 있도록 패시베이션 층에 미세한 창을 정밀하게 열어야 합니다. 레이저 에칭 및 화학 에칭과 같은 기존 방법으로 이러한 목표를 달성할 수 있지만, 실제 응용 분야에서 극복하기 어려운 몇 가지 제한 사항이 있습니다.

  365-405nm 파장의 고에너지 자외선은 PERC 셀 후면 패시베이션 층의 감광성 재료와 잘 일치하여 광화학 반응을 통해 패시베이션 층을 국부적으로 제거할 수 있습니다. 실제로 UVLED 면 광원의 강도, 지속 시간 및 스폿 크기를 정밀하게 제어하면 마이크론 수준의 개구 정확도를 확보하여 전극 창의 크기와 위치가 설계 요구 사항을 충족하도록 할 수 있습니다.

  UVLED 면 광원은 작동 중 극히 낮은 열을 발생시킵니다. 기존의 열 경화 방식과 비교하여 경화 과정에서 셀에 거의 열 응력을 가하지 않습니다. 이는 후면 패시베이션 층의 국부 개방 과정에서 PERC 셀의 실리콘 기판 및 기타 기능 층이 열 손상으로부터 보호되어 셀의 광전 변환 효율과 장기적인 안정성을 유지함을 의미합니다. 이는 태양광 모듈의 전반적인 성능과 수명을 향상시키는 데 매우 중요합니다.

  UVLED 면 광원은 빠른 경화를 제공하여 짧은 시간 내에 패시베이션 층의 국부 개방을 완료할 수 있습니다. 기존의 레이저 및 화학 에칭 공정과 비교하여 UVLED 면 광원은 더 빠른 경화 속도를 제공하여 생산 주기를 크게 단축하고 생산 라인 사이클 시간과 생산성을 향상시킵니다. 이를 통해 태양광 회사는 동일한 생산 기간 내에 더 많은 셀을 생산할 수 있으며, 고효율 태양광 제품에 대한 증가하는 시장 수요를 충족하는 데 도움이 됩니다.

  태양광 기술의 지속적인 발전과 함께 PERC 셀도 진화하고 있으며, TOPCon 셀과 같은 차세대 고효율 태양광 셀 기술이 점차 등장하고 있습니다. 이러한 새로운 기술은 셀 구조 및 공정 측면에서 후면 패시베이션 층의 국부 개방에 대한 더 높은 요구 사항을 제시했습니다. UVLED 면 광원은 우수한 기술 성능과 유연한 맞춤형 기능을 통해 이러한 새로운 분야에서 계속 중요한 역할을 할 것으로 예상됩니다.