회사 소식 자외선 발광 다이오드(UV LED)의 발광 효율에서 중요한 진전

자외선 발광 다이오드 (UV LED) 의 빛 효율에 대한 중요한 발전

물질의 결정 질을 개선하고 새로운 활성 영역 양자 우물 구조를 설계하고그리고 일체적으로 광 증폭기 변환기를 전통적인 LED 장치 구조에 통합합니다., 반도체 깊은 자외선 LED (DUV LED) 의 280nm 파장의 전기 광 변환 효율은 20% 이상 증가했습니다.

자외선 LED 는 수은 램프 에 대한 환경 친화적 인 에너지 절감 대안 이다. 이 장치 는 또한 그 작은 크기 와 긴 수명 으로 알려져 있다.알루미늄 갈륨 나이트라이드 (AlGaN) 의 양자 우물에서 알루미늄 함량을 변경함으로써, 넓은 대역 반도체 재료, UV LED는 210 nm에서 360 nm의 스펙트럼 범위를 커버 할 수 있습니다. 위의 응용 프로그램에서 수은 램프를 대체하는 것 외에도,자외선 LED는 작은 크기 때문에 다른 응용 프로그램에도 사용될 수 있습니다., 높은 효율성, 그리고 지속적으로 조절 가능한 파장, 더 시장화 할 수 있습니다. 시장 조사와 분석에 따르면,자외선 LED 시장 규모는 2019년 5억 달러에서 2023년 10억 달러로 증가할 것입니다., 또는 더 높습니다.

연구 결과에 따르면 효율성을 높이기 위해 다양한 혁신적인 접근법을 취할 수 있습니다. 주로 다음과 같은 것들이 포함됩니다.n형 및 p형 도핑 효율을 향상시켜 전류 주입 효율을 향상시키기 위해 전도성 필름을 형성합니다.빛 추출 효율과 변환 효율을 향상시키기 위해 장치 구조를 설계하고 활성 빛 방출 영역에서 AlGaN 기반의 새로운 양자 우물 및 장벽을 사용합니다.

우리는 자피르, 저렴한 투명한 기판에 자외선 LED의 이성 구조를 재배했습니다. 우리는 너무 비싸기 때문에 단 결정 AlN 기판을 사용하지 않았습니다.사파이어의 단점은 나이트라이드와 격자 및 열 확장 불일치입니다.이 문제 해결을 위해,우리는 표면에 피라미드 구조를 가진 무늬가 있는 사파이어 기판으로 돌렸습니다.엑스레이 분사 흔들림 곡선의 절반 폭을 기준으로 우리는 필름의 굴절 밀도가 3 x 108cm-2보다 작다고 결론 내렸습니다.에피레어 스트레스가 완전히 방출되었다는 것을 보여주었습니다.이 연구결과에 근거해서우리는 변형을 줄이는 것이 UV LED의 활성 영역에서 비 방사성 재조합을 억제하고 궁극적으로 이러한 장치의 방사성 재조합 효율을 향상시킬 수 있다는 것을 알고 있습니다..