회사 소식 UVLED 이중 돌파구: 효율성 및 파장에서의 혁명적 도약

UVLED 이중 돌파구: 효율성 및 파장에서의 혁명적 도약

  자외선 살균 기술의 지속적인 혁신으로 UVLED 산업은 두 가지 주요 기술 돌파구를 열었습니다.니키아 화학과 BUV는 각각 양자 효율성 및 핵 살균 대역으로 절단했습니다, UVLED 기술을 새로운 수준으로 끌어올리고 산업의 발전에 강력한 동력을 주입합니다.

니키아 화학은 최근 그 깊은 자외선 LED 제품 NCSU434D가 큰 돌파구를 달성했다고 발표했습니다. 350mA의 입력 전류에서 제품의 방사능 흐름은 135mW에 도달합니다.그리고 외부 양자 효율 (EQE) 은 7로 증가합니다.0.4%, 업계 최고 실적을 기록하고, 효율은 3년 전보다 거의 2.5배나 높습니다.외부 양자 효율의 상당한 향상으로 NCSU434D는 에너지 효율에서 우수한그것은 동일한 입력 전력에서 자외선 방사선 출력을 크게 증가시킬 수있을뿐만 아니라 동일한 자외선 출력을 유지하면서 입력 전력을 줄일 수 있습니다.자외선 방사선 방법을 최적화하고 LED 소형화와 방사선 분포의 장점을 결합함으로써, 자외선 이용률은 더욱 향상됩니다. 전력 매개 변수 측면에서, NCSU434D는 전통적인 434 시리즈의 최대 전류를 500mA에서 700mA로 증가시킵니다.그리고 단일 패키지의 최대 출력 전력은 191mW (500mA에서) 에서 263mW (700mA에서) 까지이는 의료, 산업 및 기타 분야에서 고전력 깊은 자외선에 대한 요구를 충족시킬 수 있습니다.더 높은 전력 생산량과 에너지 효율성 또한 글로벌 탄소 중립 목표와 일치합니다., 대용량 살균 및 완화 시나리오에서 장비 작동에서 발생하는 탄소 배출량을 줄이고 물과 공기 살균에서 전통적인 수은 램프를 대체 할 것으로 예상됩니다.페인트 경화 및 다른 분야.

핵심 살균 대역 기술 측면에서 BUV 연구 개발 팀은 중요한 진전을 이루었습니다. 전통적인 수은 램프는 주로 254nm 또는 313nm 자외선에 기반합니다.미생물 핵산 흡수를 위해 가장 좋은 대역이 아닌; 현재 시장에서 주류 자외선 LED는 대부분 275nm 파장을 사용합니다.기술적인 어려움과 생산량은 효율성 향상을 제한합니다.우수한 신뢰성 및 높은 빛 효율을 가진 V1 버전 칩을 기반으로BUV는 깊은 자외선 에피타시얼 기술 최적화를 통해 265nm 코어 살균 대역 장치의 대량 생산을 성공적으로 달성했습니다., 칩 프로세스 재구성 및 구조 설계 개선, 그리고 "피크 살균 대역"의 개념을 제안.자외선에 대한 병원체의 흡수 계수는 최고에 도달합니다.다른 파장 UV 장치와 비교하면 같은 전류, 밝기 및 자외선 복용 조건 하에서 더 많은 종류의 병원체를 죽일 수 있습니다.그리고 살균 효율에 질적 돌파구를 달성V1Pro 시리즈의 Pro 패키지 기술에 의존하여 장치의 빛 효율성, 신뢰성 및 안정성이 동시에 향상됩니다.

니키아와 BUV의 기술 발전은 양자 효율과 핵 살균 대역에서 전통적인 기술을 능가했을 뿐만 아니라그러나 또한 에너지 효율성 및 응용 분야 확장과 같은 여러 차원에서 UVLED 산업의 발전에 대한 새로운 가능성을 가져 왔습니다.그들은 산업의 풍경을 재구성하고 UVLED 기술의 지속적인 발전을 이끌 것으로 예상됩니다.